-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126-3
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 180V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126-3
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 200V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 150MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126B-A1
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 5mA, 50V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 30mA
- Граничная частота: 140MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 30mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
- Обратный ток коллектора: 20nA (ICBO)
- Граничная частота: 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 25mA, 20V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA
- Обратный ток коллектора: 10nA (ICBO)
- Граничная частота: 60MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 25mA, 20V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA
- Обратный ток коллектора: 10nA (ICBO)
- Граничная частота: 60MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126-3
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 200V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 150MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126-3
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 180V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 180MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 25mA, 20V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA
- Обратный ток коллектора: 10nA (ICBO)
- Граничная частота: 60MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126-3
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 180V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 25mA, 20V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA
- Обратный ток коллектора: 10nA
- Граничная частота: 60MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126-3
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 180V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126-3
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 180V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 30mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
- Обратный ток коллектора: 20nA (ICBO)
- Граничная частота: 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 350V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 20mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 20nA (ICBO)
- Граничная частота: 70MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100