Биполярные транзисторы (BJT) Pmax 1.2W | Транзисторы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 238

ZTX953STOA

TRANS PNP 100V 3.5A E-LINE

Diodes Incorporated
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
- Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 3.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 1A, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 330mV @ 400mA, 4A
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 125MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
ZTX849

TRANS NPN 30V 5A E-LINE

Diodes Incorporated
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: E-Line-3
- Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 1A, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
JANTX2N5666S

TRANS NPN 200V 5A TO39

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/455
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 200V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A
- Обратный ток коллектора: 200nA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2N3947 PBFREE

TRANS NPN 40V 0.2A TO18

Central Semiconductor Corp
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-18
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
- Граничная частота: 300MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
ZTX849STOA

TRANS NPN 30V 5A E-LINE

Diodes Incorporated
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
- Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 1A, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
BC869,115

TRANS PNP 20V 1A SOT89

Nexperia USA Inc.
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 85 @ 500mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 140MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
ZTX955STOA

TRANS PNP 140V 3A E-LINE

Diodes Incorporated
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
- Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 110MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
KSC2690YSTU

TRANS NPN 120V 1.2A TO126-3

Fairchild Semiconductor
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126-3
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 300mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 155MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
BF722,115

TRANS NPN 250V 0.1A SOT223

Nexperia USA Inc.
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 25mA, 20V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA
- Обратный ток коллектора: 10nA
- Граничная частота: 60MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
ZTX849STZ

TRANS NPN 30V 5A E-LINE

Diodes Incorporated
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
- Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 1A, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
ZTX853STOA

TRANS NPN 100V 4A E-LINE

Diodes Incorporated
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: E-Line-3
- Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 4A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 2A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 400mA, 4A
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 130MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
JANS2N5667S

TRANS NPN 300V 5A TO39

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/455
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 25 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A
- Обратный ток коллектора: 200nA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
JANTXV2N5667S

TRANS NPN 300V 5A TO39

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/455
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 25 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A
- Обратный ток коллектора: 200nA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
KSC2682YS

TRANS NPN 180V 0.1A TO126-3

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126-3
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 180V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CBCX68 TR PBFREE

TRANS NPN 20V 1A SOT89

Central Semiconductor Corp
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 85 @ 500mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 65MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: