- Мощность - Макс.
- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 400mA, 4A
- Обратный ток коллектора: 20nA (ICBO)
- Граничная частота: 150MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: E-Line-3
- Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 1A, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223-3
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 6A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 300mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 50mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 1.5GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: E-Line-3
- Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 4.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 1A, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 310mV @ 300mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 80MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Тип корпуса: 6-CPH
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 225mV @ 15mA, 750mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 500MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126-3
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 300mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 155MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126B-A1
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 150MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 600mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 220V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 50nA
- Граничная частота: 300MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 600mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 150V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 300MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
- Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 500mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 85MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/455
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 25 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A
- Обратный ток коллектора: 200nA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/455
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 200V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A
- Обратный ток коллектора: 200nA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Sanken
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: TO-220S
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 6A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 115 V
- Усиление по току (hFE): 400 @ 1A, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 120mV @ 12mA, 1.2A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 600mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 220V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 50nA
- Граничная частота: 300MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100