Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) I_C(MAX) 10A P_max 1.25W

• Производитель: Micro Commercial Co
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• Тип корпуса: D-Pak
• Мощность - Макс.: 1.25W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
• Усиление по току (hFE): 20 @ 4A, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
• Обратный ток коллектора: 50µA
• Граничная частота: 2MHz

• Производитель: Micro Commercial Co
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• Тип корпуса: D-Pak
• Мощность - Макс.: 1.25W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
• Усиление по току (hFE): 20 @ 4A, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
• Обратный ток коллектора: 20µA (ICBO)
• Граничная частота: 2MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• Тип корпуса: TO-5
• Мощность - Макс.: 1.25W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 25 @ 5A, 2V
• Обратный ток коллектора: 200nA