Найдено: 11
  • PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
    • Мощность - Макс.: 1.07 W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 2A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 340 @ 100mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
    • Обратный ток коллектора: 20nA
    • Граничная частота: 120MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
    • Мощность - Макс.: 1.07 W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 1A, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
    • Обратный ток коллектора: 50nA
    • Граничная частота: 125MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
    • Мощность - Макс.: 1.07 W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 5.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 2A, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 50A
    • Обратный ток коллектора: 50nA
    • Граничная частота: 120MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
    • Мощность - Макс.: 1.07 W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 2A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 500mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
    • Обратный ток коллектора: 20nA
    • Граничная частота: 120MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
    • Мощность - Макс.: 1.07 W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 20nA
    • Граничная частота: 150MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
    • Мощность - Макс.: 1.07 W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 5.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 240 @ 10mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500mA, 5A
    • Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
    • Граничная частота: 120MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
    • Мощность - Макс.: 1.07 W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
    • Усиление по току (hFE): 250 @ 10mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 380mV @ 400mA, 4A
    • Обратный ток коллектора: 50nA
    • Граничная частота: 125MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
    • Мощность - Макс.: 1.07 W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 2A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 340 @ 100mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
    • Обратный ток коллектора: 20nA
    • Граничная частота: 120MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
    • Мощность - Макс.: 1.07 W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 20nA
    • Граничная частота: 150MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
    • Мощность - Макс.: 1.07 W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 4A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 1A, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
    • Обратный ток коллектора: 20nA
    • Граничная частота: 120MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount, Wettable Flank
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
    • Мощность - Макс.: 1.07 W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 2A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 500mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
    • Обратный ток коллектора: 20nA
    • Граничная частота: 120MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: