Найдено: 1009
  • TRANS NPN 40V 0.2A SOT223
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: SOT-223 (TO-261)
    • Мощность - Макс.: 1.5W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
    • Граничная частота: 300MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 300V 0.2A SOT23
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: PG-SOT23
    • Мощность - Макс.: 360mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 30mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 70MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 40V 0.2A TO92-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 625mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
    • Граничная частота: 300MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 60V 0.2A UB
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/323
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 4-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: UB
    • Мощность - Макс.: 360mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 10mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 40V 0.2A SOT323
    Panjit International Inc.
    • Производитель: Panjit International Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SOT-323
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 50nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 40V 0.2A TO92
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92 (TO-226)
    • Мощность - Макс.: 625mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
    • Граничная частота: 300MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 40V 0.2A SOT223
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: SOT-223
    • Мощность - Макс.: 2W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 50nA
    • Граничная частота: 300MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
    • Мощность - Макс.: 225mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 400nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 40V 0.2A SOT23
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 50nA
    • Граничная частота: 300MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 40V 0.2A SC74-6
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    • Тип корпуса: PG-SC74-6
    • Мощность - Макс.: 330mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
    • Граничная частота: 300MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 32V 0.2A SST3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SST3
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 32V
    • Усиление по току (hFE): 380 @ 2mA, 5V
    • Граничная частота: 125MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SOT-363, TRANSISTOR
    Panjit International Inc.
    • Производитель: Panjit International Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SOT-363
    • Мощность - Макс.: 225mW
    • Тип транзистора: NPN, PNP
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 50nA
    • Граничная частота: 300MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 40V 0.2A TO92
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92
    • Мощность - Макс.: 600mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
    • Граничная частота: 250MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRAN NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SC-88/SC70-6/SOT-363
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN, PNP
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
    • Граничная частота: 300MHz, 250MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NEXPERIA 2PD601 - SMALL SIGNAL B
    NXP Semiconductors
    • Производитель: NXP Semiconductors
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: TO-236AB
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 290 @ 2mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 250MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: