- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Мощность - Макс.
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 15W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200µA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 10mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 80MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 15W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200µA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 10mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 80MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 15W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200µA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 10mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 80MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 15W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200µA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 10mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 80MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 15W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200µA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 10mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 80MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 15W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200µA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 10mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 80MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 15W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200µA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 10mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 80MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 15W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200µA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 10mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 80MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 15W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200µA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 10mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 80MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 15W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200µA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 80MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100