Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 1mA
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/545
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: 3-SMD, No Lead
- Тип корпуса: U3
- Мощность - Макс.: 1.16W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 2.5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/545
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-5
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 2.5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/545
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-5
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 2.5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/408
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-3
- Мощность - Макс.: 5W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/510
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-3
- Мощность - Макс.: 5.5W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 350V
- Усиление по току (hFE): 6 @ 10A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.67A, 10A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/545
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: 3-SMD, No Lead
- Тип корпуса: U3
- Мощность - Макс.: 1.16W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 2.5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/544
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: 3-SMD, No Lead
- Тип корпуса: U3
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 2.5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/505
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204AA (TO-3)
- Мощность - Макс.: 175W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 1mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 1500 @ 1A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-3
- Мощность - Макс.: 5W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/544
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-5
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 2.5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/544
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 2.5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/505
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204AA (TO-3)
- Мощность - Макс.: 175W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 1mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 1500 @ 1A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/504
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204AA (TO-3)
- Мощность - Макс.: 175W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 1mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 1500 @ 1A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/545
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: 3-SMD, No Lead
- Тип корпуса: U3
- Мощность - Макс.: 1.16W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 2.5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/545
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: 3-SMD, No Lead
- Тип корпуса: U3
- Мощность - Макс.: 1.16W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 2.5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100