- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Мощность - Макс.
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Тип корпуса: VS-6 (2.9x2.8)
- Мощность - Макс.: 400mW
- Тип транзистора: NPN, PNP
- Ток коллектора (макс): 1A, 700mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 170mV @ 6mA, 300mA / 230mV @ 10mA, 300mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100