Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 17A
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3P
- Мощность - Макс.: 130W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 17A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 55 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
- Обратный ток коллектора: 5µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -50°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3PN
- Мощность - Макс.: 130W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 17A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 55 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
- Обратный ток коллектора: 5µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -50°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
- Тип корпуса: TO-264-3
- Мощность - Макс.: 150W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 17A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
- Обратный ток коллектора: 5µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Sanken
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 3-ESIP
- Тип корпуса: MT-200
- Мощность - Макс.: 200W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 17A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 150V
- Усиление по току (hFE): 5000 @ 10A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1.2A, 6A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 45MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3P
- Мощность - Макс.: 130W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 17A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
- Обратный ток коллектора: 5µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Sanken
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 3-ESIP
- Тип корпуса: MT-200
- Мощность - Макс.: 200W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 17A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 230V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 5A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 60MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
- Тип корпуса: TO-264
- Мощность - Макс.: 220W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 17A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
- Обратный ток коллектора: 5µA (ICBO)
- Граничная частота: 25MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3P
- Мощность - Макс.: 130W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 17A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 55 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
- Обратный ток коллектора: 5µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -50°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220F-3
- Мощность - Макс.: 50W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 17A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
- Обратный ток коллектора: 5µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Sanken
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 3-ESIP
- Тип корпуса: MT-200
- Мощность - Макс.: 200W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 17A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 180V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 8V, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 800mA, 8A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3P
- Мощность - Макс.: 200W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 17A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
- Обратный ток коллектора: 5µA (ICBO)
- Граничная частота: 25MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Sanken
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 3-ESIP
- Тип корпуса: MT-200
- Мощность - Макс.: 200W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 17A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 150V
- Усиление по току (hFE): 5000 @ 10A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 10mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 70MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -50°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 80W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 17A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 55 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
- Обратный ток коллектора: 5µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Sanken
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 3-ESIP
- Тип корпуса: MT-200
- Мощность - Макс.: 200W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 17A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 200V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 8A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 20MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3P
- Мощность - Макс.: 130W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 17A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 55 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
- Обратный ток коллектора: 5µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100