Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 16A
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204 (TO-3)
- Мощность - Макс.: 250W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 16A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 8A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
- Обратный ток коллектора: 500µA
- Граничная частота: 4MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-264-5
- Тип корпуса: TO-264
- Мощность - Макс.: 200W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 16A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 25 @ 8A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 4MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NTE Electronics, Inc
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204 (TO-3)
- Мощность - Макс.: 150W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 16A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 8A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
- Обратный ток коллектора: 10mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NTE Electronics, Inc
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204 (TO-3)
- Мощность - Макс.: 150W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 16A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 8A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A
- Обратный ток коллектора: 10mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-3PF
- Мощность - Макс.: 60W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 16A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 800V
- Усиление по току (hFE): 6 @ 8.5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 2.5A, 10A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: SOT-93
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 16A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 8A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
- Обратный ток коллектора: 750µA
- Граничная частота: 1MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-3
- Мощность - Макс.: 150W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 16A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 10A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 16A
- Обратный ток коллектора: 3mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
- Тип корпуса: TO-264
- Мощность - Макс.: 200W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 16A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 25 @ 8A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 4MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204 (TO-3)
- Мощность - Макс.: 250W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 16A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 8A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A
- Обратный ток коллектора: 500µA
- Граничная частота: 4MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204 (TO-3)
- Мощность - Макс.: 250W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 16A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 8A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
- Обратный ток коллектора: 500µA
- Граничная частота: 4MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204 (TO-3)
- Мощность - Макс.: 250W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 16A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 25 @ 8A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 4MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
- Тип корпуса: TO-264
- Мощность - Макс.: 200W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 16A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 25 @ 8A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 4MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3P-3L
- Мощность - Макс.: 200W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 16A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 8A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 4MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
- Тип корпуса: TO-264
- Мощность - Макс.: 200W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 16A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 25 @ 8A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 4MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
- Тип корпуса: TO-264
- Мощность - Макс.: 200W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 16A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 25 @ 8A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 4MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100