- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Мощность - Макс.
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Мощность - Макс.: 155W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 350V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 5A, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 12A
- Обратный ток коллектора: 100µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204 (TO-3)
- Мощность - Макс.: 200W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
- Усиление по току (hFE): 25 @ 4A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 4A
- Обратный ток коллектора: 250µA
- Граничная частота: 2MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
- Тип корпуса: TO-264
- Мощность - Макс.: 200W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 260V
- Усиление по току (hFE): 75 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A
- Обратный ток коллектора: 50µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Серия: SWITCHMODE™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 150W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 700V
- Усиление по току (hFE): 8 @ 10A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 5V @ 4A, 20A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 23MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-3
- Мощность - Макс.: 115W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 70V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 4A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
- Обратный ток коллектора: 700µA
- Граничная частота: 2.5MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Мощность - Макс.: 160W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/538
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-3
- Мощность - Макс.: 6W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 1A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 3A, 15A
- Обратный ток коллектора: 1mA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Sanken
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-3PF
- Мощность - Макс.: 85W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 150V
- Усиление по току (hFE): 5000 @ 10A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 10mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 45MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -50°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220F-3
- Мощность - Макс.: 50W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 230V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
- Обратный ток коллектора: 5µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-264-5
- Тип корпуса: TO-264
- Мощность - Макс.: 180W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 260V
- Усиление по току (hFE): 75 @ 3A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Мощность - Макс.: 200W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 230V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 7A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 10A
- Обратный ток коллектора: 50µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3PL
- Тип корпуса: TO-3P(L)
- Мощность - Макс.: 150W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 230V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
- Обратный ток коллектора: 5µA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3, TO-218AC
- Тип корпуса: TO-218-3
- Мощность - Макс.: 130W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 750 @ 6A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 83W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 4A, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A
- Граничная частота: 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: SC-100, SOT-669
- Тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 850mV @ 1.5A, 15A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 80MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100