• Производитель: NTE Electronics, Inc
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-218-3
• Тип корпуса: TO-218
• Мощность - Макс.: 90W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 15A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 20 @ 4A, 4V
• Граничная частота: 3MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: TO-204AA, TO-3
• Тип корпуса: TO-204 (TO-3)
• Мощность - Макс.: 180W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 15A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
• Усиление по току (hFE): 10 @ 4A, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 5V @ 7A, 15A
• Обратный ток коллектора: 100µA
• Граничная частота: 6MHz

• Производитель: Bourns Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220
• Мощность - Макс.: 2W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 15A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 20 @ 5A, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 5A, 15A
• Обратный ток коллектора: 100µA

• Производитель: Sanken
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
• Тип корпуса: TO-3P
• Мощность - Макс.: 130W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 15A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 230V
• Усиление по току (hFE): 40 @ 5A, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
• Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
• Граничная частота: 60MHz

• Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
• Тип корпуса: TO-3P(N)
• Мощность - Макс.: 150W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 15A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 230V
• Усиление по току (hFE): 80 @ 1A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
• Обратный ток коллектора: 5µA (ICBO)
• Граничная частота: 30MHz

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220
• Мощность - Макс.: 90W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 15A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
• Усиление по току (hFE): 15 @ 5A, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 2.5A, 10A
• Обратный ток коллектора: 1mA
• Граничная частота: 3MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -50°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3 Full Pack
• Тип корпуса: TO-220F-3
• Мощность - Макс.: 50W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 15A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 230V
• Усиление по току (hFE): 55 @ 1A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
• Обратный ток коллектора: 5µA (ICBO)
• Граничная частота: 30MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-264-5
• Тип корпуса: TO-264
• Мощность - Макс.: 230W
• Тип транзистора: NPN + Diode (Isolated)
• Ток коллектора (макс): 15A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 350V
• Усиление по току (hFE): 80 @ 5A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A
• Обратный ток коллектора: 100µA
• Граничная частота: 35MHz

• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/525
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: TO-204AA, TO-3
• Тип корпуса: TO-204AA (TO-3)
• Мощность - Макс.: 175W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 15A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
• Усиление по току (hFE): 12 @ 5A, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 15A

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/525
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: TO-204AA, TO-3
• Тип корпуса: TO-204AA (TO-3)
• Мощность - Макс.: 175W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 15A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
• Усиление по току (hFE): 12 @ 5A, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 15A

• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220AB
• Мощность - Макс.: 1.8W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 15A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
• Усиление по току (hFE): 20 @ 5A, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A
• Обратный ток коллектора: 1mA
• Граничная частота: 5MHz

• Производитель: Sanken
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
• Тип корпуса: TO-3P
• Мощность - Макс.: 160W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 15A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 230V
• Усиление по току (hFE): 40 @ 5A, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
• Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
• Граничная частота: 60MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220
• Мощность - Макс.: 1.8W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 15A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
• Усиление по току (hFE): 20 @ 5A, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A
• Обратный ток коллектора: 1mA
• Граничная частота: 5MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: TO-204AA, TO-3
• Тип корпуса: TO-204 (TO-3)
• Мощность - Макс.: 115W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 15A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
• Усиление по току (hFE): 20 @ 4A, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
• Обратный ток коллектора: 700µA
• Граничная частота: 2.5MHz

• Производитель: Sanken
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: 3-ESIP
• Тип корпуса: MT-200
• Мощность - Макс.: 150W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 15A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 200V
• Усиление по току (hFE): 50 @ 5A, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A
• Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
• Граничная частота: 20MHz