- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Мощность - Макс.
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-72 Formed Leads
- Тип корпуса: SPT
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 180 @ 1mA, 6V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 180MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-75, SOT-416
- Тип корпуса: SC-75
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 1mA, 6V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
- Тип корпуса: TO-92S
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 2mA, 6V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 80MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SOT-323
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 180 @ 1mA, 6V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SOT-323
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 180 @ 1mA, 6V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: EMT6
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN, PNP
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 1mA, 6V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 180MHz, 140MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: S-Mini
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 2mA, 6V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 80MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: EMT6
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 820 @ 50mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 300nA (ICBO)
- Граничная частота: 250MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-74, SOT-457
- Тип корпуса: SMT6
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: NPN, PNP
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 1mA, 6V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 180MHz, 140MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: UMT3
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 820 @ 1mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 300nA (ICBO)
- Граничная частота: 250MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: US6
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN, PNP
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 2mA, 6V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 150MHz, 120MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: EMT6
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN, PNP
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 1mA, 6V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 180MHz, 140MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 400mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 2mA, 6V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 80MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 2A, 6V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 80MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 270 @ 1mA, 6V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 120MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100