Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 150mA, 500mA

    • Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2
  • UMZ8NTR
    TRANS NPN/PNP 50V/12V UMT6
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: UMT6
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN, PNP
    • Ток коллектора (макс): 150mA, 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 12V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 180MHz, 260MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • EMZ8T2R
    TRANS NPN/PNP 50V/12V 6EMT
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-563, SOT-666
    • Тип корпуса: EMT6
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN, PNP
    • Ток коллектора (макс): 150mA, 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V, 12V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 180MHz, 260MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100