• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: 200°C (TJ)
• Package / Case: TO-204AA, TO-3
• Тип корпуса: TO-3
• Мощность - Макс.: 150W
• Тип транзистора: NPN - Darlington
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 750 @ 6A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
• Обратный ток коллектора: 1mA
• Граничная частота: 4MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3 Full Pack
• Тип корпуса: TO-220F-3
• Мощность - Макс.: 30W
• Тип транзистора: PNP - Darlington
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 750 @ 5A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: ISOWATT218FX
• Тип корпуса: ISOWATT-218FX
• Мощность - Макс.: 58W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 700V
• Усиление по току (hFE): 4.5 @ 6A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1.5A, 6A
• Обратный ток коллектора: 200µA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3 Full Pack
• Тип корпуса: TO-220F-3
• Мощность - Макс.: 50W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
• Усиление по току (hFE): 8 @ 5A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
• Граничная частота: 4MHz

• Производитель: Bourns Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220
• Мощность - Макс.: 2W
• Тип транзистора: PNP - Darlington
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
• Усиление по току (hFE): 750 @ 5A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220-3
• Мощность - Макс.: 80W
• Тип транзистора: NPN - Darlington
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 750 @ 5A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263)
• Мощность - Макс.: 70W
• Тип транзистора: NPN - Darlington
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 750 @ 3A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.3V @ 4mA, 4A
• Обратный ток коллектора: 100µA

• Производитель: Bourns Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-218-3
• Тип корпуса: SOT-93
• Мощность - Макс.: 3.5W
• Тип транзистора: NPN - Darlington
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
• Обратный ток коллектора: 2mA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220-3
• Мощность - Макс.: 80W
• Тип транзистора: PNP - Darlington
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 750 @ 5A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: ISOWATT-218-3
• Тип корпуса: ISOWATT-218
• Мощность - Макс.: 55W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
• Усиление по току (hFE): 6 @ 8A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220
• Мощность - Макс.: 80W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
• Усиление по току (hFE): 7 @ 6A, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 1.4A, 7A
• Обратный ток коллектора: 100µA

• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/502
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-3
• Тип корпуса: TO-3 (TO-204AA)
• Мощность - Макс.: 150W
• Тип транзистора: NPN - Darlington
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 6A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3 Full Pack
• Тип корпуса: TO-220F-3
• Мощность - Макс.: 50W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
• Усиление по току (hFE): 8 @ 5A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
• Граничная частота: 4MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
• Тип корпуса: TO-3P-3L
• Мощность - Макс.: 120W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 1A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
• Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
• Граничная частота: 10MHz

• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/501
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-3
• Тип корпуса: TO-3 (TO-204AA)
• Мощность - Макс.: 150W
• Тип транзистора: PNP - Darlington
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 6A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
• Обратный ток коллектора: 1mA