• Производитель: Sanken
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3 Full Pack
• Тип корпуса: TO-220F
• Мощность - Макс.: 35W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 50 @ 6A, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A
• Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
• Граничная частота: 40MHz

• Производитель: Micro Commercial Co
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220AB
• Мощность - Макс.: 80W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 3A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
• Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
• Тип корпуса: 8-ECH
• Мощность - Макс.: 1.6W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
• Усиление по току (hFE): 200 @ 500mA, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 135mV @ 300mA, 6A
• Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
• Граничная частота: 140MHz

• Производитель: Bourns Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-218-3
• Тип корпуса: SOT-93
• Мощность - Макс.: 3.5W
• Тип транзистора: PNP - Darlington
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
• Обратный ток коллектора: 2mA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220-3
• Мощность - Макс.: 80W
• Тип транзистора: PNP - Darlington
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
• Усиление по току (hFE): 750 @ 5A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-218-3
• Тип корпуса: TO-218
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
• Граничная частота: 60MHz

• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/502
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-3
• Тип корпуса: TO-3 (TO-204AA)
• Мощность - Макс.: 150W
• Тип транзистора: NPN - Darlington
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 6A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: ISOWATT-218-3
• Тип корпуса: ISOWATT-218
• Мощность - Макс.: 55W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
• Усиление по току (hFE): 5.5 @ 7A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 1.75A, 7A
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220-3
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
• Усиление по току (hFE): 8 @ 5A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
• Граничная частота: 4MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/501
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-204AA, TO-3
• Тип корпуса: TO-204AA (TO-3)
• Мощность - Макс.: 150W
• Тип транзистора: PNP - Darlington
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 6A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: Bourns Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220
• Мощность - Макс.: 2W
• Тип транзистора: NPN - Darlington
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
• Усиление по току (hFE): 750 @ 5A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: WeEn Semiconductors
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220AB
• Мощность - Макс.: 80W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
• Усиление по току (hFE): 8 @ 5A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
• Обратный ток коллектора: 100µA

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-218-3
• Тип корпуса: TO-218
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
• Граничная частота: 60MHz

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220-3
• Мощность - Макс.: 80W
• Тип транзистора: PNP - Darlington
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
• Усиление по току (hFE): 750 @ 5A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/624
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
• Тип корпуса: TO-254AA
• Мощность - Макс.: 100W
• Тип транзистора: NPN - Darlington
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 6A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
• Обратный ток коллектора: 1mA