Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 120A

    • Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1
  • ESM2012DV
    TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: ISOTOP
    • Тип корпуса: ISOTOP®
    • Мощность - Макс.: 175W
    • Тип транзистора: NPN - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
    • Усиление по току (hFE): 1200 @ 100A, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 100A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100