Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 10mA

Найдено: 17
  • TIGHTLY MATCHED, MONOLITHIC DUAL
    Linear Integrated Systems, Inc.
    • Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: 2 PNP (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 10mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 1mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100µA, 1mA
    • Обратный ток коллектора: 200pA (ICBO)
    • Граничная частота: 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 175V 0.01A TO66
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
    • Тип корпуса: TO-66 (TO-213AA)
    • Мощность - Макс.: 35W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 175V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 500mA, 10V
    • Обратный ток коллектора: 10mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS 2NPN 7V 0.01A SSSMINI6
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-963
    • Тип корпуса: SSSMini6-F1
    • Мощность - Макс.: 50mW
    • Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 10mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 7V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 1mA, 1V / 80 @ 1mA, 1V
    • Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
    • Граничная частота: 4GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TIGHTLY MATCHED, MONOLITHIC DUAL
    Linear Integrated Systems, Inc.
    • Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
    • Серия: IT120
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 8-DIP
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 10mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 1mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50µA, 500µA
    • Обратный ток коллектора: 1nA (ICBO)
    • Граничная частота: 180MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TIGHTLY MATCHED, MONOLITHIC DUAL
    Linear Integrated Systems, Inc.
    • Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: 2 PNP (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 10mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 150 @ 1mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100µA, 1mA
    • Обратный ток коллектора: 200pA (ICBO)
    • Граничная частота: 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TIGHTLY MATCHED, MONOLITHIC DUAL
    Linear Integrated Systems, Inc.
    • Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
    • Серия: IT130
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: 2 PNP (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 10mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 225 @ 1mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50µA, 500µA
    • Обратный ток коллектора: 1nA (ICBO)
    • Граничная частота: 110MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 15V 0.01A TO18
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-18 (TO-206AA)
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TIGHTLY MATCHED, MONOLITHIC DUAL
    Linear Integrated Systems, Inc.
    • Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
    • Серия: IT120
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: TO-71-6 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-71
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 10mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 1mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50µA, 500µA
    • Обратный ток коллектора: 1nA (ICBO)
    • Граничная частота: 180MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TIGHTLY MATCHED, MONOLITHIC DUAL
    Linear Integrated Systems, Inc.
    • Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
    • Серия: IT120
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 10mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 225 @ 1mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50µA, 500µA
    • Обратный ток коллектора: 1nA (ICBO)
    • Граничная частота: 220MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 7V 0.01A MINI3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: Mini3-G1
    • Мощность - Макс.: 50mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 7V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 1mA, 1V
    • Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
    • Граничная частота: 4GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TIGHTLY MATCHED, MONOLITHIC DUAL
    Linear Integrated Systems, Inc.
    • Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
    • Серия: IT120
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 10mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 1mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50µA, 500µA
    • Обратный ток коллектора: 1nA (ICBO)
    • Граничная частота: 180MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TIGHTLY MATCHED, MONOLITHIC DUAL
    Linear Integrated Systems, Inc.
    • Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
    • Серия: IT130
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 8-DIP
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: 2 PNP (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 10mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 1mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50µA, 500µA
    • Обратный ток коллектора: 1nA (ICBO)
    • Граничная частота: 90MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 7V 0.01A SMINI3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SMini3-G1
    • Мощность - Макс.: 50mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 7V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 1mA, 1V
    • Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
    • Граничная частота: 4GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 175V 0.01A TO66
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
    • Тип корпуса: TO-66 (TO-213AA)
    • Мощность - Макс.: 35W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 175V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 500mA, 10V
    • Обратный ток коллектора: 10mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 175V 0.01A TO66
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
    • Тип корпуса: TO-66 (TO-213AA)
    • Мощность - Макс.: 35W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 175V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 500mA, 10V
    • Обратный ток коллектора: 10mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: