• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/510
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
• Тип корпуса: TO-254AA
• Мощность - Макс.: 6W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 200V
• Усиление по току (hFE): 10 @ 10A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 10A
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK
• Мощность - Макс.: 2W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
• Усиление по току (hFE): 40 @ 4A, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
• Обратный ток коллектора: 10µA
• Граничная частота: 40MHz

• Производитель: Panasonic Electronic Components
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TOP-3F
• Тип корпуса: TOP-3F-A1
• Мощность - Макс.: 3W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
• Усиление по току (hFE): 90 @ 3A, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 10A
• Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
• Граничная частота: 30MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220
• Мощность - Макс.: 75W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
• Усиление по току (hFE): 20 @ 4A, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
• Обратный ток коллектора: 700µA
• Граничная частота: 2MHz

• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/394
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• Тип корпуса: TO-5
• Мощность - Макс.: 1W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
• Усиление по току (hFE): 40 @ 5A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A
• Обратный ток коллектора: 10µA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-218-3
• Тип корпуса: SOT-93
• Мощность - Макс.: 80W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 20 @ 3A, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 4V @ 2.5A, 10A
• Обратный ток коллектора: 700µA
• Граничная частота: 3MHz

• Производитель: Nexperia USA Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 175°C (TJ)
• Package / Case: SC-100, SOT-669
• Тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8
• Мощность - Макс.: 1.3W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 240 @ 500mA, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 800mV @ 500mA, 10A
• Обратный ток коллектора: 100nA
• Граничная частота: 97MHz

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220-3
• Мощность - Макс.: 70W
• Тип транзистора: PNP - Darlington
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
• Усиление по току (hFE): 750 @ 3A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
• Обратный ток коллектора: 500µA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3 Full Pack
• Тип корпуса: TO-220ML
• Мощность - Макс.: 2W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 200 @ 1A, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 250mA, 5A
• Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
• Граничная частота: 130MHz

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: PNP - Darlington
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A
• Обратный ток коллектора: 2mA

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• Тип корпуса: DPAK
• Мощность - Макс.: 1.75W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
• Усиление по току (hFE): 20 @ 4A, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
• Обратный ток коллектора: 50µA
• Граничная частота: 2MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
• Тип корпуса: I-PAK
• Мощность - Макс.: 1.75W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
• Усиление по току (hFE): 20 @ 4A, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
• Обратный ток коллектора: 50µA
• Граничная частота: 2MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220-3
• Мощность - Макс.: 80W
• Тип транзистора: PNP - Darlington
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A
• Обратный ток коллектора: 2mA

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/374
• Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
• Тип корпуса: TO-59
• Мощность - Макс.: 2W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
• Усиление по току (hFE): 80 @ 1A, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
• Обратный ток коллектора: 10µA

• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220-3
• Мощность - Макс.: 70W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
• Усиление по току (hFE): 750 @ 4A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 4A
• Обратный ток коллектора: 500µA