• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-70, SOT-323
• Тип корпуса: SC-70-3 (SOT323)
• Мощность - Макс.: 150mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
• Усиление по току (hFE): 110 @ 2mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
• Граничная частота: 100MHz

• Производитель: Nexperia USA Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: TO-236AB
• Мощность - Макс.: 250mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
• Усиление по току (hFE): 110 @ 2mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
• Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
• Граничная частота: 100MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Мощность - Макс.: 450mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
• Усиление по току (hFE): 200 @ 1mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
• Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
• Граничная частота: 270MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92 (TO-226)
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
• Усиление по току (hFE): 200 @ 2mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
• Обратный ток коллектора: 15nA
• Граничная частота: 280MHz

• Производитель: Panasonic Electronic Components
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 125°C (TJ)
• Package / Case: SOT-563, SOT-666
• Тип корпуса: SSMini6-F2
• Мощность - Макс.: 125mW
• Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 180 @ 2mA, 10V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• Обратный ток коллектора: 100µA
• Граничная частота: 150MHz

• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Мощность - Макс.: 500mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
• Усиление по току (hFE): 200 @ 2mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
• Граничная частота: 300MHz

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: PG-SOT23
• Мощность - Макс.: 330mW
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
• Усиление по току (hFE): 125 @ 2mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
• Граничная частота: 250MHz

• Производитель: Rohm Semiconductor
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-72 Formed Leads
• Тип корпуса: VMN3
• Мощность - Макс.: 150mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 180 @ 2mA, 6V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 25mA
• Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
• Граничная частота: 130MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
• Тип корпуса: TO-126-3
• Мощность - Макс.: 7W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 10V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA
• Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
• Граничная частота: 150MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
• Мощность - Макс.: 300mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
• Усиление по току (hFE): 200 @ 2mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
• Граничная частота: 100MHz

• Производитель: Nexperia USA Inc.
• Серия: Automotive, AEC-Q101
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-101, SOT-883
• Тип корпуса: SOT-883
• Мощность - Макс.: 250mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
• Усиление по току (hFE): 420 @ 2mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
• Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
• Граничная частота: 100MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Мощность - Макс.: 350mW
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 60 @ 2mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)

• Производитель: Diotec Semiconductor
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
• Мощность - Макс.: 250mW
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
• Усиление по току (hFE): 420 @ 2mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
• Граничная частота: 100MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
• Мощность - Макс.: 300mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
• Усиление по току (hFE): 200 @ 2mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
• Граничная частота: 100MHz

• Производитель: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23
• Мощность - Макс.: 200mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
• Усиление по току (hFE): 110 @ 2mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA
• Обратный ток коллектора: 100nA
• Граничная частота: 100MHz