Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 100A

    • Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2
  • BUT30V
    TRANS NPN 125V 100A ISOTOP
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: ISOTOP
    • Тип корпуса: ISOTOP®
    • Мощность - Макс.: 250W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 125V
    • Усиление по току (hFE): 27 @ 100A, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 900mV @ 10A, 100A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ESM3030DV
    TRANS NPN DARL 300V 100A ISOTOP
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: ISOTOP®
    • Мощность - Макс.: 225W
    • Тип транзистора: NPN - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
    • Усиление по току (hFE): 300 @ 85A, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.4A, 85A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100