Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 10 µA

    • Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 100
  • JANS2N3634
    TRANS PNP 140V 10UA TO39
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/357
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 10 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 50mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANSD2N3635L
    TRANS PNP 140V 10UA TO5
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/357
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-5
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 10 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 50mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANS2N3635
    TRANS PNP 140V 10UA TO39
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/357
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 10 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 50mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTX2N3636
    TRANS PNP 175V 10UA TO39
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/357
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 10 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 175V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 50mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTXV2N3741U4
    TRANS PNP 80V 10UA U4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/441
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: U4
    • Мощность - Макс.: 25W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 10 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 250mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 1.25mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANSR2N3635UB/TR
    TRANS PNP 140V 10UA UB
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/357
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 4-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: UB
    • Мощность - Макс.: 1.5W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 10 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANSD2N3635UB/TR
    TRANS PNP 140V 10UA UB
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/357
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 4-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: UB
    • Мощность - Макс.: 1.5W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 10 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANSR2N3634UB
    TRANS PNP 140V 10UA UB
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/357
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 4-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: UB
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 10 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 50mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANSD2N3634UB
    TRANS PNP 140V 10UA UB
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/357
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 4-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: UB
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 10 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 50mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANS2N5238S
    TRANS NPN 170V 10UA TO39
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/394
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 170V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 5A, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A
    • Обратный ток коллектора: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANS2N5237
    TRANS NPN 120V 10UA TO5
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/394
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-5
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 5A, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A
    • Обратный ток коллектора: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N5682
    TRANS NPN 120V 10UA TO39
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 250mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANS2N3636
    PNP TRANSISTOR
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/357
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 10 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 175V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 50mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANS2N3634L
    TRANS PNP 140V 10UA TO5
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/357
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-5
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 10 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 50mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANSR2N3634UB/TR
    TRANS PNP 140V 10UA UB
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/357
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 4-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: UB
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 10 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 50mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100