Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 1.8A
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: SOT-666
- Мощность - Макс.: 900mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.8A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 530mV @ 200mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 150MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: SOT-563
- Мощность - Макс.: 600mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.8A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 530mV @ 200mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 150MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
- Тип корпуса: 20-SO
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: 4 NPN Darlington (Quad)
- Ток коллектора (макс): 1.8A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1.8A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
- Тип корпуса: 20-SO
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: 4 NPN Darlington (Quad)
- Ток коллектора (макс): 1.8A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1.8A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
- Тип корпуса: 20-SO
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: 4 NPN Darlington (Quad)
- Ток коллектора (макс): 1.8A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1.8A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Тип корпуса: 16-PowerDIP
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: 4 NPN Darlington (Quad)
- Ток коллектора (макс): 1.8A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1.8A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100