- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Мощность - Макс.
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
- Тип корпуса: UFM
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.7A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 300mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: DFN1010D-3
- Мощность - Макс.: 325mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.7A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 1.7A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 150MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100