Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) I_C(MAX) 1.75A

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 13

ULN2067B

TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP

STMicroelectronics
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -20°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
- Тип корпуса: 16-PowerDIP (20x7.10)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: 4 NPN Darlington (Quad)
- Ток коллектора (макс): 1.75A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.25mA, 1.5A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
ULN2069B

QUAD 1.5 A DARLINGTON SWITCHES

Rochester Electronics, LLC
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -20°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
- Тип корпуса: 16-PowerDIP (20x7.10)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: 4 NPN Darlington (Quad)
- Ток коллектора (макс): 1.75A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.25mA, 1.5A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
ULN2075B

TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP

STMicroelectronics
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -20°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
- Тип корпуса: 16-PowerDIP (20x7.10)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: 4 NPN Darlington (Quad)
- Ток коллектора (макс): 1.75A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.25mA, 1.5A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
ULN2069B

TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP

STMicroelectronics
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -20°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
- Тип корпуса: 16-PowerDIP (20x7.10)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: 4 NPN Darlington (Quad)
- Ток коллектора (макс): 1.75A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.25mA, 1.5A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
ZDT6702TC

TRANS NPN/PNP DARL 60V 1.75A SM8

Diodes Incorporated
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-223-8
- Тип корпуса: SM8
- Мощность - Макс.: 2.75W
- Тип транзистора: NPN, PNP Darlington (Dual)
- Ток коллектора (макс): 1.75A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 5000 @ 500mA, 5V / 2000 @ 500mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.28V @ 2mA, 1.75A
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 140MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
ZDT6702TA

TRANS NPN/PNP DARL 60V 1.75A SM8

Diodes Incorporated
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-223-8
- Тип корпуса: SM8
- Мощность - Макс.: 2.75W
- Тип транзистора: NPN, PNP Darlington (Dual)
- Ток коллектора (макс): 1.75A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 5000 @ 500mA, 5V / 2000 @ 500mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.28V @ 2mA, 1.75A
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 140MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
ULN2066B

TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP

STMicroelectronics
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -20°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
- Тип корпуса: 16-PowerDIP (20x7.10)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: 4 NPN Darlington (Quad)
- Ток коллектора (макс): 1.75A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.4V @ 2mA, 1.25A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
ULN2069B

QUAD 1.5 A DARLINGTON SWITCHES

Allegro MicroSystems
- Производитель: Allegro MicroSystems
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -20°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
- Тип корпуса: 16-PowerDIP (20x7.10)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: 4 NPN Darlington (Quad)
- Ток коллектора (макс): 1.75A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.25mA, 1.5A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
ULN2065B

TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP

STMicroelectronics
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -20°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
- Тип корпуса: 16-PowerDIP (20x7.10)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: 4 NPN Darlington (Quad)
- Ток коллектора (макс): 1.75A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.25mA, 1.5A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
ULN2074B

TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP

STMicroelectronics
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -20°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
- Тип корпуса: 16-PowerDIP (20x7.10)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: 4 NPN Darlington (Quad)
- Ток коллектора (макс): 1.75A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.4V @ 2mA, 1.25A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
ULN2064B

TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP

STMicroelectronics
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -20°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
- Тип корпуса: 16-PowerDIP (20x7.10)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: 4 NPN Darlington (Quad)
- Ток коллектора (макс): 1.75A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.4V @ 2mA, 1.25A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
ZDT6702QTA

PWR MID PERF TRANSISTOR SM-8 T&R

Diodes Incorporated
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-223-8
- Тип корпуса: SM-8
- Мощность - Макс.: 2.75W
- Тип транзистора: NPN, PNP Complementary Darlington
- Ток коллектора (макс): 1.75A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 5000 @ 500mA, 5V / 2000 @ 500mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.28V @ 2mA, 1.75A
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 140MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
ULN2068B

TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP

STMicroelectronics
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -20°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
- Тип корпуса: 16-PowerDIP (20x7.10)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: 4 NPN Darlington (Quad)
- Ток коллектора (макс): 1.75A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.4V @ 2mA, 1.25A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по:

Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 1.75A

Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) I_C(MAX) 1.75A