Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) I_C(MAX) 1.3A

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
• Тип корпуса: SOT-223-3
• Мощность - Макс.: 700mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 1.3A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
• Усиление по току (hFE): 16 @ 500mA, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
• Граничная частота: 4MHz

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92
• Мощность - Макс.: 1.1W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 1.3A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
• Усиление по току (hFE): 5 @ 1A, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.2V @ 250mA, 1A
• Граничная частота: 4MHz

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
• Тип корпуса: TO-126
• Мощность - Макс.: 20W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 1.3A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
• Усиление по току (hFE): 5 @ 1A, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.2V @ 250mA, 1A
• Граничная частота: 4MHz

• Производитель: Diodes Incorporated
• Серия: Automotive, AEC-Q101
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
• Тип корпуса: TO-126
• Мощность - Макс.: 1.1W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 1.3A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
• Усиление по току (hFE): 13 @ 500mA, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 250mA, 1A
• Обратный ток коллектора: 10µA
• Граничная частота: 4MHz