Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 1.2A | Транзисторы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 120

MMBT6427

TRANS NPN DARL 40V 1.2A SOT23-3

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Мощность - Макс.: 350mW
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 14000 @ 500mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MMBTA14

TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT23-3

Fairchild Semiconductor
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Мощность - Макс.: 350mW
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 20000 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 125MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MMBTA63

TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT23-3

Fairchild Semiconductor
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Мощность - Макс.: 350mW
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 10000 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 125MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
TN6718A_D74Z

TRANS NPN 100V 1.2A TO226

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-226
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 250mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MPSA63_D27Z

TRANS PNP DARL 30V 1.2A TO92-3

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 10000 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 125MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MPSA12_D74Z

TRANS NPN DARL 20V 1.2A TO92-3

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 20000 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 10µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 100nA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
BCP56

TRANS NPN 80V 1.2A SOT223-4

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223-4
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 150mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
FTM3725

TRANS 4NPN 40V 1.2A 16SOIC

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 16-SOIC
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: 4 NPN (Quad)
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 100mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 950mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 250MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
TN6725A_D26Z

TRANS NPN DARL 50V 1.2A TO226

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-226
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 4000 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MMBTA13

TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT23-3

Fairchild Semiconductor
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Мощность - Макс.: 350mW
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 10000 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 125MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2N5306

TRANS NPN DARL 25V 1.2A TO92-3

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
- Усиление по току (hFE): 7000 @ 2mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2N6427_D75Z

TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO92-3

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 14000 @ 500mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 1µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
KSC2690AYSTU

TRANS NPN 160V 1.2A TO126-3

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126-3
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 300mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 155MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MPSA13_D27Z

TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO92-3

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 10000 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 125MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MPSA64_D74Z

TRANS PNP DARL 30V 1.2A TO92-3

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 20000 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 125MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: