Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 1.25A
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 500mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 330mV @ 125mA, 1.25A
- Обратный ток коллектора: 10nA
- Граничная частота: 180MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SOT-323
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1.25A
- Обратный ток коллектора: 10nA
- Граничная частота: 220MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SOT-323
- Мощность - Макс.: 385mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1.25A
- Обратный ток коллектора: 10nA
- Граничная частота: 210MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 290mV @ 50mA, 1.25A
- Обратный ток коллектора: 10nA
- Граничная частота: 205MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 290mV @ 50mA, 1.25A
- Обратный ток коллектора: 10nA
- Граничная частота: 205MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 3-XDFN
- Тип корпуса: DFN1411-3
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 235 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 235mV @ 62.5mA, 1.25A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SOT-323
- Мощность - Макс.: 385mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1.25A
- Обратный ток коллектора: 10nA
- Граничная частота: 210MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 250 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 10nA
- Граничная частота: 195MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SOT-323
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1.25A
- Обратный ток коллектора: 10nA
- Граничная частота: 220MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: SOT-23-6
- Мощность - Макс.: 885mW
- Тип транзистора: PNP + Diode (Isolated)
- Ток коллектора (макс): 1.25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1.25A
- Обратный ток коллектора: 10nA
- Граничная частота: 220MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 290mV @ 50mA, 1.25A
- Обратный ток коллектора: 10nA
- Граничная частота: 205MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 250 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 10nA
- Граничная частота: 195MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: SOT-23-6
- Мощность - Макс.: 885mW
- Тип транзистора: PNP + Diode (Isolated)
- Ток коллектора (макс): 1.25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1.25A
- Обратный ток коллектора: 10nA
- Граничная частота: 220MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 500mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 330mV @ 125mA, 1.25A
- Обратный ток коллектора: 10nA
- Граничная частота: 180MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100