• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 6217
Наименование Описание Производитель
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Тип корпуса
Резистор базы (R1)
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Резистор эмиттер-база (R2)
Package / Case
Серия
DCX142TH-7 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 Diodes Incorporated 100mA 50V 200mW Surface Mount 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) SOT-563 470Ohms 300mV @ 250µA, 5mA 100 @ 1mA, 5V 200MHz SOT-563, SOT-666
DDTA142JE-7-F TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523 Diodes Incorporated
BCR 198L3 E6327 TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 Infineon Technologies 70mA 50V 250mW Surface Mount PNP - Pre-Biased PG-TSLP-3-4 47kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 100nA (ICBO) 70 @ 5mA, 5V 190MHz 47kOhms SC-101, SOT-883
DTC144EKA-TP TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3L Micro Commercial Co 100mA 50V 200mW Surface Mount NPN - Pre-Biased SOT-23-3L 47kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 500nA 68 @ 5mA, 5V 250MHz 47kOhms TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PEMB1,115 TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666 Nexperia USA Inc. 100mA 50V 300mW Surface Mount 2 PNP - Pre-Biased (Dual) SOT-666 22kOhms 150mV @ 500µA, 10mA 1µA 60 @ 5mA, 5V 22kOhms SOT-563, SOT-666
NHDTC114ETR NHDTC114ET/SOT23/TO-236AB Nexperia USA Inc. 100mA 80V 250mW Surface Mount NPN - Pre-Biased TO-236AB 10kOhms 100mV @ 500µA, 10mA 100nA 50 @ 10mA, 5V 170MHz 10kOhms TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Automotive, AEC-Q101
PDTA124XQBZ PDTA124XQB/SOT8015/DFN1110D-3 Nexperia USA Inc. 100mA 50V 340mW Surface Mount, Wettable Flank PNP - Pre-Biased DFN1110D-3 22kOhms 100mV @ 500µA, 10mA 100nA 80 @ 5mA, 5V 180MHz 47kOhms 3-XDFN Exposed Pad
PDTC115EM,315 NOW NEXPERIA PDTC115EM - SMALL S NXP Semiconductors 20mA 50V 250mW Surface Mount NPN - Pre-Biased DFN1006-3 100kOhms 150mV @ 250µA, 5mA 1µA 80 @ 5mA, 5V 100kOhms SC-101, SOT-883
MUN5212T1G TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 onsemi 100mA 50V 202mW Surface Mount NPN - Pre-Biased SC-70-3 (SOT323) 22kOhms 250mV @ 300µA, 10mA 500nA 60 @ 5mA, 10V 2.2kOhms SC-70, SOT-323
SMUN2240T1G TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59 onsemi 100mA 50V 230mW Surface Mount NPN - Pre-Biased SC-59 47kOhms 250mV @ 1mA, 10mA 500nA 120 @ 5mA, 10V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UP0411M00L TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI6 Panasonic Electronic Components 100mA 50V 125mW Surface Mount 2 PNP - Pre-Biased (Dual) SSMINI6-F1 2.2kOhms 250mV @ 300µA, 10mA 500nA 80 @ 5mA, 10V 80MHz 47kOhms SOT-563, SOT-666
DTA144ECAT116 PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST Rohm Semiconductor 100mA 50V 200mW Surface Mount PNP - Pre-Biased SST3 47kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 500nA 68 @ 5mA, 5V 250MHz 47kOhms TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DTD143EKFRAT146 DTD143EKFRA IS A TRANSISTOR WITH Rohm Semiconductor 500mA 50V 200mW Surface Mount NPN - Pre-Biased SMT3 4.7kOhms 300mV @ 2.5mA, 50mA 500nA 47 @ 50mA, 5V 200MHz 4.7kOhms TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Automotive, AEC-Q101
RN1970(TE85L,F) TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Toshiba Semiconductor and Storage 100mA 50V 200mW Surface Mount 2 NPN - Pre-Biased (Dual) US6 4.7kOhms 300mV @ 250µA, 5mA 100nA (ICBO) 120 @ 1mA, 5V 250MHz 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
RN1104MFV,L3F(CT TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Toshiba Semiconductor and Storage 100mA 50V 150mW Surface Mount NPN - Pre-Biased VESM 47kOhms 300mV @ 500µA, 5mA 500nA 80 @ 10mA, 5V 47kOhms SOT-723
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Биполярные транзисторы с предварительно заданным током смещения (BRT) - это транзиcтор на одном кристалле с которым расположены резисторы смещения, обеспечивающие оптимальный режим переключения. Такая компоновка обеспечивает минимальную стоимость узлов, созданных с применением таких транзисторов.

Электрические характеристики BRT зависят от значений используемых внутренних резисторов. Необходимо выбрать оптимальные BRT, и в данном разделе добавлены два дополнительных поля для подбора компонентов: R1 - резистор базы и R2 - резистор эмиттер-база.


Справочная информация по основным параметрам:

Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic (Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic) — Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - это напряжение, ниже которого изменени тока базы не оказывает влияния на ток коллектора (режим насыщения). Измерение проводится с указанными значениями IC и IB.
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.