Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения в корпусе ML3-N2

Найдено: 6
  • TRANS PREBIAS NPN 100MW ML3-N2
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-101, SOT-883
    • Тип корпуса: ML3-N2
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 160 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 150MHz
    • Резистор базы (R1): 22kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS NPN 100MW ML3-N2
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-101, SOT-883
    • Тип корпуса: ML3-N2
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 150MHz
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS NPN 100MW ML3-N2
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-101, SOT-883
    • Тип корпуса: ML3-N2
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 150MHz
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS NPN 100MW ML3-N2
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-101, SOT-883
    • Тип корпуса: ML3-N2
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 35 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 150MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS PNP 100MW ML3-N2
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-101, SOT-883
    • Тип корпуса: ML3-N2
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 150MHz
    • Резистор базы (R1): 47kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PREBIAS PNP 100MW ML3-N2
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-101, SOT-883
    • Тип корпуса: ML3-N2
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Граничная частота: 80MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: