• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 6217
Наименование Описание Производитель
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Тип корпуса
Резистор базы (R1)
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Резистор эмиттер-база (R2)
Package / Case
Серия
DDTA124XCA-7-F TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Diodes Incorporated 100mA 50V 200mW Surface Mount PNP - Pre-Biased SOT-23-3 22kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 500nA 68 @ 10mA, 5V 250MHz 47kOhms TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PEMB30,115 TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666 Nexperia USA Inc. 100mA 50V 300mW Surface Mount 2 PNP - Pre-Biased (Dual) SOT-666 2.2kOhms 150mV @ 500µA, 10mA 1µA 30 @ 20mA, 5V SOT-563, SOT-666
PDTA113ZMB,315 TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3 Nexperia USA Inc. 100mA 50V 250mW Surface Mount PNP - Pre-Biased DFN1006B-3 1kOhms 150mV @ 500µA, 10mA 1µA 35 @ 5mA, 5V 180MHz 10kOhms 3-XFDFN
PUMD10,125 TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP Nexperia USA Inc. 100mA 50V 200mW Surface Mount 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 6-TSSOP 2.2kOhms 100mV @ 250µA, 5mA 1µA 100 @ 10mA, 5V 47kOhms 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
PBLS1502V,115 TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 NXP USA Inc. 100mA, 500mA 50V, 15V 300mW Surface Mount 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP SOT-666 4.7kOhms 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA 1µA, 100nA 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V 280MHz 4.7kOhms SOT-563, SOT-666
PBRN113ES,126 TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3 NXP USA Inc. 800mA 40V 700mW Through Hole NPN - Pre-Biased TO-92-3 1kOhms 1.15V @ 8mA, 800mA 500nA 180 @ 300mA, 5V 1kOhms TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
DRA2144E0L TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3 Panasonic Electronic Components 100mA 50V 200mW Surface Mount PNP - Pre-Biased Mini3-G3-B 47kOhms 250mV @ 500µA, 10mA 500nA 80 @ 5mA, 10V 47kOhms TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UNRL21100A TRANS PREBIAS NPN 150MW ML4-N1 Panasonic Electronic Components 100mA 50V 150mW Surface Mount NPN - Pre-Biased ML4-N1 10kOhms 250mV @ 300µA, 10mA 500nA 35 @ 5mA, 10V 150MHz 10kOhms SC-103
DRA9123E0L TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 Panasonic Electronic Components 100mA 50V 125mW Surface Mount PNP - Pre-Biased SSMini3-F3-B 2.2kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 500nA 6 @ 5mA, 10V 2.2kOhms SC-89, SOT-490
UNR321N00L TRANS PREBIAS NPN 100MW SSSMINI3 Panasonic Electronic Components 100mA 50V 100mW Surface Mount NPN - Pre-Biased SSSMini3-F1 4.7kOhms 250mV @ 300µA, 10mA 500nA 80 @ 5mA, 10V 150MHz 47kOhms SOT-723
DRA9143Y0L TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 Panasonic Electronic Components 100mA 50V 125mW Surface Mount PNP - Pre-Biased SSMini3-F3-B 4.7kOhms 250mV @ 500µA, 10mA 500nA 60 @ 5mA, 10V 22kOhms SC-89, SOT-490
PDTA144WE,115 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC 100mA 50V 150mW Surface Mount PNP - Pre-Biased SC-75 47kOhms 150mV @ 500µA, 10mA 1µA 60 @ 5mA, 5V 22kOhms SC-75, SOT-416
DTA144EU3HZGT106 DTA144EU3HZG IS A DIGITAL TRANSI Rohm Semiconductor 100mA 50V 200mW Surface Mount PNP - Pre-Biased UMT3 47kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 500nA 68 @ 5mA, 5V 250MHz 47kOhms SC-70, SOT-323 Automotive, AEC-Q101
RN2901(T5L,F,T) TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 Toshiba Semiconductor and Storage 100mA 50V 200mW Surface Mount 2 PNP - Pre-Biased (Dual) US6 4.7kOhms 300mV @ 250µA, 5mA 100nA (ICBO) 30 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kOhms 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
RN2426(TE85L,F) TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI Toshiba Semiconductor and Storage 800mA 50V 200mW Surface Mount PNP - Pre-Biased S-Mini 1kOhms 250mV @ 1mA, 50mA 500nA 90 @ 100mA, 1V 200MHz 10kOhms TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Биполярные транзисторы с предварительно заданным током смещения (BRT) - это транзиcтор на одном кристалле с которым расположены резисторы смещения, обеспечивающие оптимальный режим переключения. Такая компоновка обеспечивает минимальную стоимость узлов, созданных с применением таких транзисторов.

Электрические характеристики BRT зависят от значений используемых внутренних резисторов. Необходимо выбрать оптимальные BRT, и в данном разделе добавлены два дополнительных поля для подбора компонентов: R1 - резистор базы и R2 - резистор эмиттер-база.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic (Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic) — Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - это напряжение, ниже которого изменени тока базы не оказывает влияния на ток коллектора (режим насыщения). Измерение проводится с указанными значениями IC и IB.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.