• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 6217
Наименование Описание Производитель
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Тип корпуса
Резистор базы (R1)
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Резистор эмиттер-база (R2)
Package / Case
Серия
DCX123JK-7-F TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SC74R Diodes Incorporated 100mA 50V 300mW Surface Mount 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) SC-74R 2.2kOhms 300mV @ 250µA, 5mA 500nA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47kOhms SC-74, SOT-457
DDTA144VCA-7 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Diodes Incorporated
BCR183S BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Infineon Technologies 100mA 50V 250mW Surface Mount 2 PNP - Pre-Biased (Dual) PG-SOT23-3-11 10kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 100nA (ICBO) 30 @ 5mA, 5V 200MHz 10kOhms SC-59, SOT-23-3, TO-236-3
PUMD3-QZ TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V 6TSSOP Nexperia USA Inc. 100mA 50V 200mW Surface Mount NPN, PNP 6-TSSOP 10kOhms 150mV @ 500µA, 10mA 1µA 30 @ 5mA, 5V 230MHz, 180MHz 10kOhms 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Automotive, AEC-Q101
PDTA143ZQCZ PDTA143ZQC/SOT8009/DFN1412D-3 Nexperia USA Inc. 100mA 50V 360mW Surface Mount, Wettable Flank PNP - Pre-Biased DFN1412D-3 4.7kOhms 100mV @ 250µA, 5mA 100nA 100 @ 10mA, 5V 180MHz 47kOhms 3-XDFN Exposed Pad
MUN2240T1G TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59 onsemi 100mA 50V 338mW Surface Mount NPN - Pre-Biased SC-59 47kOhms 250mV @ 1mA, 10mA 500nA 120 @ 5mA, 10V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NSBC123JF3T5G TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123 onsemi 100mA 50V 254mW Surface Mount NPN - Pre-Biased SOT-1123 2.2kOhms 250mV @ 1mA, 10mA 500nA 80 @ 5mA, 10V 47kOhms SOT-1123
FJNS4203RBU TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S onsemi 100mA 50V 300mW Through Hole PNP - Pre-Biased TO-92S 22kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 100nA (ICBO) 56 @ 5mA, 5V 200MHz 22kOhms TO-226-3, TO-92-3 Short Body
UNR9213J0L TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3 Panasonic Electronic Components 100mA 50V 125mW Surface Mount NPN - Pre-Biased SSMini3-F1 47kOhms 250mV @ 300µA, 10mA 500nA 80 @ 5mA, 10V 150MHz 47kOhms SC-89, SOT-490
XN0111300L TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI5 Panasonic Electronic Components 100mA 50V 300mW Surface Mount 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mini5-G1 47kOhms 250mV @ 300µA, 10mA 500nA 80 @ 5mA, 10V 80MHz 47kOhms SC-74A, SOT-753
XN0111100L TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI5 Panasonic Electronic Components 100mA 50V 300mW Surface Mount 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mini5-G1 10kOhms 250mV @ 300µA, 10mA 500nA 35 @ 5mA, 10V 80MHz 10kOhms SC-74A, SOT-753
DRC5113Z0L TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3 Panasonic Electronic Components 100mA 50V 150mW Surface Mount NPN - Pre-Biased SMini3-F2-B 1kOhms 250mV @ 500µA, 10mA 500nA 30 @ 5mA, 10V 10kOhms SC-85
DTC123JKAT146 TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 Rohm Semiconductor 100mA 50V 200mW Surface Mount NPN - Pre-Biased SMT3 2.2kOhms 300mV @ 250µA, 5mA 500nA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47kOhms TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DTA144EU3T106 PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST Rohm Semiconductor 100mA 200mW Surface Mount PNP - Pre-Biased + Diode UMT3 47kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 68 @ 5mA, 5V 250MHz 47kOhms SC-70, SOT-323
RN1965FE(TE85L,F) TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 Toshiba Semiconductor and Storage 100mA 50V 100mW Surface Mount 2 PNP - Pre-Biased (Dual) ES6 2.2kOhms 300mV @ 250µA, 5mA 100nA (ICBO) 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47kOhms SOT-563, SOT-666
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Биполярные транзисторы с предварительно заданным током смещения (BRT) - это транзиcтор на одном кристалле с которым расположены резисторы смещения, обеспечивающие оптимальный режим переключения. Такая компоновка обеспечивает минимальную стоимость узлов, созданных с применением таких транзисторов.

Электрические характеристики BRT зависят от значений используемых внутренних резисторов. Необходимо выбрать оптимальные BRT, и в данном разделе добавлены два дополнительных поля для подбора компонентов: R1 - резистор базы и R2 - резистор эмиттер-база.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic (Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic) — Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - это напряжение, ниже которого изменени тока базы не оказывает влияния на ток коллектора (режим насыщения). Измерение проводится с указанными значениями IC и IB.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.