Найдено: 6
Наименование Описание Производитель
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Тип корпуса
Резистор базы (R1)
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Резистор эмиттер-база (R2)
Package / Case
DTC614TUT106 TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 Rohm Semiconductor 600mA 20V 200mW Surface Mount NPN - Pre-Biased UMT3 10kOhms 150mV @ 2.5mA, 50mA 500nA (ICBO) 820 @ 50mA, 5V 150MHz SC-70, SOT-323
DTC314TUT106 TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 Rohm Semiconductor 600mA 15V 200mW Surface Mount NPN - Pre-Biased UMT3 10kOhms 80mV @ 2.5mA, 50mA 500nA (ICBO) 100 @ 50mA, 5V 200MHz SC-70, SOT-323
DTC643TUT106 TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 Rohm Semiconductor 600mA 20V 200mW Surface Mount NPN - Pre-Biased UMT3 4.7kOhms 150mV @ 2.5mA, 50mA 500nA (ICBO) 820 @ 50mA, 5V 150MHz SC-70, SOT-323
DTC623TUT106 TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 Rohm Semiconductor 600mA 20V 200mW Surface Mount NPN - Pre-Biased UMT3 2.2kOhms 150mV @ 2.5mA, 50mA 500nA (ICBO) 820 @ 50mA, 5V 150MHz SC-70, SOT-323
DTC323TUT106 TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 Rohm Semiconductor 600mA 15V 200mW Surface Mount NPN - Pre-Biased UMT3 2.2kOhms 80mV @ 2.5mA, 50mA 500nA (ICBO) 100 @ 50mA, 5V 200MHz SC-70, SOT-323
DTC363EUT106 TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 Rohm Semiconductor 600mA 20V 200mW Surface Mount NPN - Pre-Biased UMT3 6.8 kOhms 80mV @ 2.5mA, 50mA 500nA 70 @ 50mA, 5V 200MHz 6.8 kOhms SC-70, SOT-323