• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Резистор эмиттер-база (R2)
    • Package / Case
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 7
Наименование Описание Производитель
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Тип корпуса
Резистор базы (R1)
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Резистор эмиттер-база (R2)
Package / Case
DTC144VUAT106 TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 Rohm Semiconductor 30mA 50V 200mW Surface Mount NPN - Pre-Biased UMT3 47kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 500nA 33 @ 5mA, 5V 250MHz 10kOhms SC-70, SOT-323
DTA144EUAT106 TRANS PREBIAS PNP 0.2W UMT3 Rohm Semiconductor 30mA 50V 200mW Surface Mount PNP - Pre-Biased UMT3 47kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 500nA 68 @ 5mA, 5V 250MHz 47kOhms SC-70, SOT-323
DTC144EUAT106 TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 Rohm Semiconductor 30mA 50V 200mW Surface Mount NPN - Pre-Biased UMT3 47kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 500nA 68 @ 5mA, 5V 250MHz 47kOhms SC-70, SOT-323
DTC144WUAT106 TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 Rohm Semiconductor 30mA 50V 200mW Surface Mount NPN - Pre-Biased UMT3 47kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 500nA 56 @ 5mA, 5V 250MHz 22kOhms SC-70, SOT-323
DTA124EUAT106 TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 Rohm Semiconductor 30mA 50V 200mW Surface Mount PNP - Pre-Biased UMT3 22kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 500nA 56 @ 5mA, 5V 250MHz 22kOhms SC-70, SOT-323
DTC124EUAT106 TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 Rohm Semiconductor 30mA 50V 200mW Surface Mount NPN - Pre-Biased UMT3 22kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 500nA 56 @ 5mA, 5V 250MHz 22kOhms SC-70, SOT-323
DTA144WUAT106 TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 Rohm Semiconductor 30mA 50V 200mW Surface Mount PNP - Pre-Biased UMT3 47kOhms 300mV @ 500µA, 10mA 500nA 56 @ 5mA, 5V 250MHz 22kOhms SC-70, SOT-323
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100