-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Ток коллектора (макс)
|
Граничное напряжение КЭ(макс)
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Тип транзистора
|
Тип корпуса
|
Резистор базы (R1)
|
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
|
Обратный ток коллектора
|
Усиление по току (hFE)
|
Граничная частота
|
Резистор эмиттер-база (R2)
|
Package / Case
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IMD14T108 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 | Rohm Semiconductor | 500mA | 50V | 300mW | Surface Mount | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | SMT6 | 220Ohms | 300mV @ 5mA, 100mA | 500nA | 82 @ 100mA, 5V | 250MHz | 10kOhms | SC-74, SOT-457 |
- 10
- 15
- 50
- 100