-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Ток коллектора (макс)
|
Граничное напряжение КЭ(макс)
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Тип транзистора
|
Тип корпуса
|
Резистор базы (R1)
|
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
|
Обратный ток коллектора
|
Усиление по току (hFE)
|
Резистор эмиттер-база (R2)
|
Package / Case
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HR1F3P(0)-T1-AZ | HR1F3 - COMPOUND TRANSISTOR | Renesas | 1A | 60V | 2W | Surface Mount | PNP - Pre-Biased | SC-62 | 2kOhms | 350mV @ 10mA, 500mA | 100nA | 100 @ 500mA, 2V | 10kOhms | TO-243AA | |
| HD1A3M(0)-T1-AZ | TRANSISTOR NPN SC62-3 | Renesas Electronics America | 1A | 60V | 2W | Surface Mount | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN | SC-62 | 1kOhms | 100nA (ICBO) | 200 @ 1A, 2V | 1kOhms | TO-243AA | HD1 | |
| HD1A3M(0)-T1-AZ | TRANSISTOR NPN SC62-3 | Renesas Electronics America Inc | 1A | 60V | 2W | Surface Mount | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN | SC-62 | 1kOhms | 100nA (ICBO) | 200 @ 1A, 2V | 1kOhms | TO-243AA | HD1 |
- 10
- 15
- 50
- 100