- Тип корпуса
- Производитель
- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Тип транзистора
-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Ток коллектора (макс)
|
Граничное напряжение КЭ(макс)
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Тип транзистора
|
Тип корпуса
|
Резистор базы (R1)
|
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
|
Обратный ток коллектора
|
Усиление по току (hFE)
|
Граничная частота
|
Резистор эмиттер-база (R2)
|
Package / Case
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BCR08PNH6433XTMA1 | PRE-BIASED BIPOLAR TRANSISTOR (B | Cypress Semiconductor Corp | 100mA | 50V | 250mW | Surface Mount | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | PG-SOT363-6-1 | 2.2kOhms | 300mV @ 500µA, 10mA | 100nA (ICBO) | 70 @ 5mA, 5V | 170MHz | 47kOhms | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| BCR119S | SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | Infineon Technologies | 100mA | 50V | 250mW | Surface Mount | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | PG-SOT363-6-1 | 4.7kOhms | 300mV @ 500µA, 10mA | 100nA (ICBO) | 120 @ 5mA, 5V | 150MHz | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| BCR10PNH6730 | BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR | Infineon Technologies | 100mA | 50V | 250mW | Surface Mount | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | PG-SOT363-6-1 | 10kOhms | 300mV @ 500µA, 10mA | 100nA (ICBO) | 30 @ 5mA, 5V | 130MHz | 10kOhms | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
- 10
- 15
- 50
- 100