-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Ток коллектора (макс)
|
Граничное напряжение КЭ(макс)
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Тип транзистора
|
Тип корпуса
|
Резистор базы (R1)
|
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
|
Обратный ток коллектора
|
Усиление по току (hFE)
|
Граничная частота
|
Резистор эмиттер-база (R2)
|
Package / Case
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BCR196E6327 | BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR | Infineon Technologies | 70mA | 50V | 200mW | Surface Mount | PNP - Pre-Biased | PG-SOT23-3-11 | 47kOhms | 300mV @ 500µA, 10mA | 100nA (ICBO) | 50 @ 5mA, 5V | 150MHz | 22kOhms | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
- 10
- 15
- 50
- 100