-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Ток коллектора (макс)
|
Граничное напряжение КЭ(макс)
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Тип транзистора
|
Тип корпуса
|
Резистор базы (R1)
|
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
|
Обратный ток коллектора
|
Усиление по току (hFE)
|
Граничная частота
|
Резистор эмиттер-база (R2)
|
Package / Case
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EMB51T2R | TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | Rohm Semiconductor | 30mA | 50V | 150mW | Surface Mount | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) | EMT6 | 22kOhms | 150mV @ 500µA, 5mA | 500nA | 60 @ 5mA, 10V | 250MHz | 22kOhms | SOT-563, SOT-666 |
| EMB6T2R | TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | Rohm Semiconductor | 30mA | 50V | 150mW | Surface Mount | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) | EMT6 | 47kOhms | 300mV @ 500µA, 10mA | 500nA | 68 @ 5mA, 5V | 250MHz | 47kOhms | SOT-563, SOT-666 |
- 10
- 15
- 50
- 100