-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Ток коллектора (макс)
|
Граничное напряжение КЭ(макс)
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Тип транзистора
|
Тип корпуса
|
Резистор базы (R1)
|
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
|
Обратный ток коллектора
|
Усиление по току (hFE)
|
Граничная частота
|
Резистор эмиттер-база (R2)
|
Package / Case
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EMF24T2R | TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6 | Rohm Semiconductor | 100mA, 150mA | 50V | 150mW | Surface Mount | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN | EMT6 | 10kOhms | 300mV @ 500µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA | 500nA | 30 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V | 250MHz, 180MHz | 10kOhms | SOT-563, SOT-666 |
| EMF17T2R | TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6 | Rohm Semiconductor | 100mA, 150mA | 50V | 150mW | Surface Mount | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP | EMT6 | 2.2kOhms | 300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA | 500nA | 20 @ 20mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V | 250MHz, 140MHz | 2.2kOhms | SOT-563, SOT-666 |
- 10
- 15
- 50
- 100