-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Ток коллектора (макс)
|
Граничное напряжение КЭ(макс)
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Тип транзистора
|
Тип корпуса
|
Резистор базы (R1)
|
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
|
Обратный ток коллектора
|
Усиление по току (hFE)
|
Граничная частота
|
Резистор эмиттер-база (R2)
|
Package / Case
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PDTA115EMB,315 | TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3 | Nexperia USA Inc. | 20mA | 50V | 250mW | Surface Mount | PNP - Pre-Biased | DFN1006B-3 | 100kOhms | 150mV @ 250µA, 5mA | 1µA | 80 @ 5mA, 5V | 180MHz | 100kOhms | 3-XFDFN |
| PDTC115EMB,315 | PDTC115E - NPN RESISTOR-EQUIPPED | NXP Semiconductors | 20mA | 50V | 250mW | Surface Mount | NPN - Pre-Biased | DFN1006B-3 | 100kOhms | 150mV @ 250µA, 5mA | 1µA | 80 @ 5mA, 5V | 230MHz | 100kOhms | SC-101, SOT-883 |
| PDTA115EMB,315 | NOW NEXPERIA PDTA115EMB - SMALL | NXP USA Inc. | 20mA | 50V | 250mW | Surface Mount | PNP - Pre-Biased | DFN1006B-3 | 100kOhms | 150mV @ 250µA, 5mA | 1µA | 80 @ 5mA, 5V | 180MHz | 100kOhms | SC-101, SOT-883 |
- 10
- 15
- 50
- 100