-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Ток коллектора (макс)
|
Граничное напряжение КЭ(макс)
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Тип транзистора
|
Тип корпуса
|
Резистор базы (R1)
|
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
|
Обратный ток коллектора
|
Усиление по току (hFE)
|
Граничная частота
|
Резистор эмиттер-база (R2)
|
Package / Case
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PUML1,115 | TRANS NPN PREBIAS/NPN 6TSSOP | NXP USA Inc. | 100mA, 200mA | 50V | 300mW | Surface Mount | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN | 6-TSSOP | 10kOhms | 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 100mA | 1µA | 30 @ 5mA, 5V / 210 @ 2mA, 10V | 230MHz | 10kOhms | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
- 10
- 15
- 50
- 100