• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Резистор эмиттер-база (R2)
    • Package / Case
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 7
Наименование Описание Производитель
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Тип корпуса
Резистор базы (R1)
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Резистор эмиттер-база (R2)
Package / Case
EMC5DXV5T1 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC 100mA 50V 500mW Surface Mount 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) SOT-553 47kOhms, 4.7kOhms 250mV @ 300µA, 10mA 500nA 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V 47kOhms, 10kOhms SOT-553
EMA6DXV5T1G SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC 100mA 50V 230mW Surface Mount 2 PNP - Pre-Biased (Dual) SOT-553 47kOhms 250mV @ 1mA, 10mA 500nA 160 @ 5mA, 10V SOT-553
EMA6DXV5T1 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC 100mA 50V 230mW Surface Mount 2 PNP - Pre-Biased (Dual) SOT-553 47kOhms 250mV @ 1mA, 10mA 500nA 160 @ 5mA, 10V SOT-553
EMG2DXV5T1 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC 100mA 50V 230mW Surface Mount 2 NPN - Pre-Biased (Dual) SOT-553 47kOhms 250mV @ 300µA, 10mA 500nA 80 @ 5mA, 10V 47kOhms SOT-553
EMG2DXV5T5 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC 100mA 50V 230mW Surface Mount 2 NPN - Pre-Biased (Dual) SOT-553 47kOhms 250mV @ 300µA, 10mA 500nA 80 @ 5mA, 10V 47kOhms SOT-553
EMA6DXV5T5G SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC 100mA 50V 230mW Surface Mount 2 PNP - Pre-Biased (Dual) SOT-553 47kOhms 250mV @ 1mA, 10mA 500nA 160 @ 5mA, 10V SOT-553
EMC2DXV5T1 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC 100mA 50V 500mW Surface Mount 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) SOT-553 22kOhms 250mV @ 300µA, 10mA 500nA 60 @ 5mA, 10V 22kOhms SOT-553
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100