Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Renesas Electronics America IC(MAX) 100mA

    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Резистор эмиттер-база (R2)
    • Package / Case
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2
  • FN4L4M-T1B-A
    PROGRAM ADAPTER
    Renesas Electronics America
    • Производитель: Renesas Electronics America
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 85 @ 5mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 250µ, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Резистор базы (R1): 22 Ohms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 22 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FA4F4M-T1B-A
    PROGRAM ADAPTER
    Renesas Electronics America
    • Производитель: Renesas Electronics America
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 50mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 250µ, 5mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Резистор базы (R1): 22 Ohms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 22 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100