-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
-
- Производитель: Renesas Electronics America
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 85 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 250µ, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Резистор базы (R1): 22 Ohms
- Резистор эмиттер-база (R2): 22 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 50mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 250µ, 5mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Резистор базы (R1): 22 Ohms
- Резистор эмиттер-база (R2): 22 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100