- Производитель
- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Тип транзистора
- Тип корпуса
-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Ток коллектора (макс)
|
Граничное напряжение КЭ(макс)
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Тип транзистора
|
Тип корпуса
|
Резистор базы (R1)
|
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
|
Обратный ток коллектора
|
Усиление по току (hFE)
|
Резистор эмиттер-база (R2)
|
Package / Case
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HD1A3M(0)-T1-AZ | TRANSISTOR NPN SC62-3 | Renesas Electronics America Inc | 1A | 60V | 2W | Surface Mount | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN | SC-62 | 1kOhms | 100nA (ICBO) | 200 @ 1A, 2V | 1kOhms | TO-243AA | HD1 | |
| GN1L4M-T2-A | SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | Renesas Electronics America Inc | 100mA | 50V | 150mW | Surface Mount | PNP - Pre-Biased | SC-70 | 47kOhms | 200mV @ 250µA, 5mA | 100nA (ICBO) | 95 @ 50mA, 5V | 47kOhms | SC-70, SOT-323 | |
| 2SD1697-AZ | SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, | Renesas Electronics America Inc | 800mA | 80V | 1W | Through Hole | NPN - Pre-Biased | 1kOhms | 1.2V @ 1mA, 500mA | 1µA (ICBO) | 4000 @ 300mA, 2V | 3-SSIP | |||
| GA1L4M-T2-A | SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | Renesas Electronics America Inc | 100mA | 50V | 150mW | Surface Mount | NPN - Pre-Biased | SC-70 | 47kOhms | 200mV @ 250µA, 5mA | 100nA (ICBO) | 95 @ 50mA, 5V | 47kOhms | SC-70, SOT-323 | |
| FN4L4M-T1B-A | PROGRAM ADAPTER | Renesas Electronics America Inc | 100mA | 50V | 200mW | NPN - Pre-Biased | 22 Ohms | 200mV @ 250µ, 5mA | 100nA (ICBO) | 85 @ 5mA, 5V | 22 Ohms | ||||
| FA4F4M-T1B-A | PROGRAM ADAPTER | Renesas Electronics America Inc | 100mA | 50V | 200mW | NPN - Pre-Biased | 22 Ohms | 200mV @ 250µ, 5mA | 100nA (ICBO) | 60 @ 50mA, 5V | 22 Ohms |
- 10
- 15
- 50
- 100