Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Panasonic Electronic Components IC(MAX) 500mA

    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Резистор эмиттер-база (R2)
    • Package / Case
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 30
  • DMG264120R
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-23-6
    • Тип корпуса: Mini6-G4-B
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 100mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • UNR412300A
    TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: 3-SSIP
    • Тип корпуса: NS-A1
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 100mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • UNR222200L
    TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: Mini3-G1
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 100mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • UNR422200A
    TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: 3-SIP
    • Тип корпуса: NS-B1
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 100mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DRC2523E0L
    TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: Mini3-G3-B
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 100mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    • Резистор базы (R1): 2.2kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 2.2kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • UNR412200A
    TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: 3-SSIP
    • Тип корпуса: NS-A1
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 100mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 4.7kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 4.7kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DRA2533Q0L
    TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: Mini3-G3-B
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 100mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    • Резистор базы (R1): 3.1 kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 4.6 kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • UNR212400L
    TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: Mini3-G1
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 2.2kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • UNR412400A
    TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: 3-SSIP
    • Тип корпуса: NS-A1
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 100mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 2.2kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DRA2522J0L
    TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: Mini3-G3-B
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 100mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    • Резистор базы (R1): 270Ohms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 5 kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DRA2523Y0L
    TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: Mini3-G3-B
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 100mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    • Резистор базы (R1): 2.2kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • UNR222300L
    TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: Mini3-G1
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 100mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • UNR212100L
    TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: Mini3-G1
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 5mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 2.2kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 2.2kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • UNR412100A
    TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: 3-SSIP
    • Тип корпуса: NS-A1
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 100mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    • Граничная частота: 200MHz
    • Резистор базы (R1): 2.2kOhms
    • Резистор эмиттер-база (R2): 2.2kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • XN0413000L
    TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI6
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-23-6
    • Тип корпуса: MINI6-G1
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 500mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 6mA, 300mA
    • Граничная частота: 130MHz
    • Резистор базы (R1): 10kOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100