-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Ток коллектора (макс)
|
Граничное напряжение КЭ(макс)
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Тип транзистора
|
Тип корпуса
|
Резистор базы (R1)
|
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
|
Обратный ток коллектора
|
Усиление по току (hFE)
|
Резистор эмиттер-база (R2)
|
Package / Case
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SMUN5133T1G-M02 | SMUN5133 - DIGITAL BJT PNP - PRE | onsemi | 100mA | 50V | 202mW | Surface Mount | PNP - Pre-Biased | SC-70 (SOT323) | 4.7kOhms | 250mV @ 300µA, 10mA | 500nA | 80 @ 5mA, 10V | 47kOhms | SC-70, SOT-323 |
| NSVMUN5234T1G | NPN BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR ( | onsemi | 100mA | 50V | 202mW | Surface Mount | NPN - Pre-Biased | SC-70 (SOT323) | 22kOhms | 250mV @ 1mA, 10mA | 500nA | 80 @ 5mA, 10V | 47kOhms | SC-70, SOT-323 |
| NSVMUN5116T1G-M02 | NSVMUN5116 - DIGITAL BJT PNP - P | onsemi | 100mA | 50V | 202mW | Surface Mount | PNP - Pre-Biased | SC-70 (SOT323) | 4.7kOhms | 250mV @ 1mA, 10mA | 500nA | 160 @ 5mA, 10V | SC-70, SOT-323 | |
| NSVMUN5216T1G | MUN5216 - NSVMUN5216 - NPN BIPOL | onsemi | 100mA | 50V | 202mW | Surface Mount | NPN - Pre-Biased | SC-70 (SOT323) | 4.7kOhms | 250mV @ 1mA, 10mA | 500nA | 160 @ 5mA, 10V | SC-70, SOT-323 |
- 10
- 15
- 50
- 100