Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения onsemi в корпусе SC-70 (SOT323)
-
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Package / Case
- Серия
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SC-70 (SOT323)
- Мощность - Макс.: 202mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SC-70 (SOT323)
- Мощность - Макс.: 202mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 22kOhms
- Резистор эмиттер-база (R2): 47kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SC-70 (SOT323)
- Мощность - Макс.: 202mW
- Тип транзистора: PNP - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 5mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SC-70 (SOT323)
- Мощность - Макс.: 202mW
- Тип транзистора: NPN - Pre-Biased
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 5mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Резистор базы (R1): 4.7kOhms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100